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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Synthesis and Characterization of BaFe2As2 Single Crystals Grown by In-flux Technique

Texto completo
Autor(es):
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Garitezi, T. M. [1] ; Adriano, C. [1] ; Rosa, P. F. S. [1] ; Bittar, E. M. [2, 1] ; Bufaical, L. [3, 1] ; de Almeida, R. L. [1] ; Granado, E. [1, 4] ; Grant, T. [5] ; Fisk, Z. [5] ; Avila, M. A. [6] ; Ribeiro, R. A. [6] ; Kuhns, P. L. [7] ; Reyes, A. P. [7] ; Urbano, R. R. [7, 1] ; Pagliuso, P. G. [5, 1]
Número total de Autores: 15
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Estadual Campinas, Inst Fis Gleb Wataghin, BR-13083859 Sao Paulo - Brazil
[2] Ctr Brasileiro Pesquisas Fis, BR-22290180 Rio De Janeiro - Brazil
[3] Univ Fed Goias, Inst Fis, BR-74001970 Goiania, Go - Brazil
[4] Lab Nacl Luz Sincrotron, BR-13083970 Sao Paulo - Brazil
[5] Univ Calif Irvine, Irvine, CA 92697 - USA
[6] Univ Fed ABC, Ctr Ciencias Nat & Humanas, BR-09210580 Sao Paulo - Brazil
[7] Florida State Univ, Natl High Magnet Field Lab, Tallahassee, FL 32306 - USA
Número total de Afiliações: 7
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Brazilian Journal of Physics; v. 43, n. 4, p. 223-229, AUG 2013.
Citações Web of Science: 12
Resumo

We report a detailed characterization of BaFe2As2 single crystals grown by a metallic In-flux technique, an alternative to well-established growth routes using FeAs self- or Sn-flux. Electrical resistivity, magnetic susceptibility, nuclear magnetic resonance, and energy dispersive spectroscopy measurements showed no evidence of flux incorporation. More importantly, our results demonstrate that BaFe2As2 single crystals grown by In-flux have extremely high quality. To explore the efficiency of the In-flux growth method, we have also prepared nearly optimally doped superconducting samples of Ba(Fe1 -x M (x) )(2)As-2 (M = Co, Cu, Ni, and Ru). Among other interesting features, this alternative chemical substitution method has led to enhancement of the maximum T (c) for most dopings. (AU)

Processo FAPESP: 09/09247-3 - Investigação de estados ordenados induzidos sob pressão em novos materiais.
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Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Processo FAPESP: 11/12292-0 - Estudo de Propriedades de Transporte e Magnéticas em Novos Materiais
Beneficiário:Thales Macedo Garitezi
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 12/04870-7 - Estudos de novos materiais complexos e avançados
Beneficiário:Pascoal Jose Giglio Pagliuso
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 10/11949-3 - Ressonância de spin eletrônico (ESR) em compostos supercondutores intermetálicos a base de FeAs
Beneficiário:Priscila Ferrari Silveira Rosa
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 11/19924-2 - Estudo e desenvolvimento de novos materiais avançados: eletrônicos, magnéticos e nanoestruturados: uma abordagem interdisciplinar
Beneficiário:Carlos Rettori
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 11/01564-0 - Síntese e caracterização de novos materiais complexos e avançados
Beneficiário:Pascoal Jose Giglio Pagliuso
Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
Processo FAPESP: 11/23795-3 - Busca por novos e melhores termoelétricos
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Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 11/23650-5 - Investigação da estrutura eletrônica de materiais complexos avançados através de espectroscopia de fotoemissão resolvida em ângulo
Beneficiário:Cris Adriano
Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Pós-Doutorado
Processo FAPESP: 06/60440-0 - Estudo de sistemas fortemente correlacionados em condições extremas
Beneficiário:Carlos Rettori
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático