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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Hierarchical growth of ZnO nanorods over SnO2 seed layer: insights into electronic properties from photocatalytic activity

Texto completo
Autor(es):
Da Silva, Luis F. [1] ; Lopes, Osmando F. [2] ; Catto, Ariadne C. [3] ; Avansi, Jr., Waldir [4] ; Bernardi, Maria I. B. [3] ; Li, Maximo Siu [3] ; Ribeiro, Caue [2] ; Longo, Elson [1]
Número total de Autores: 8
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Estadual Paulista, Inst Quim, LIEC, BR-14800900 Araraquara, SP - Brazil
[2] Embrapa Instrumentacao, BR-13560970 Sao Carlos, SP - Brazil
[3] Univ Sao Paulo, Inst Fis Sao Carlos, BR-13566590 Sao Carlos, SP - Brazil
[4] Univ Fed Sao Carlos, Inst Fis, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 4
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: RSC ADVANCES; v. 6, n. 3, p. 2112-2118, 2016.
Citações Web of Science: 14
Resumo

The use of nanostructured heterojunctions has been a promising option for hindering the charge recombination and thus enhancing the photocatalytic performance of catalysts. Here we present a simple strategy to hierarchically grow heterostructures using a hydrothermal treatment route. A buffer SnO2 film was produced by a sol-gel derived method, resulting in a film of approximately 100 nm composed of 5-10 nm nanoparticles. X-ray diffraction and scanning electron microscopy revealed preferential growth of the nanorod-like structures along the c-axis perpendicular to the SnO2 film, with an average nanorod diameter and length of approximately 160 nm and 1.5 mu m, respectively. The photoluminescence spectra of ZnO-SnO2 revealed a reduction in UV emission compared to individual ZnO nanorods, indicating that the recombination of the photogenerated carriers was inhibited in the heterojunction. This behavior was confirmed by evaluating the photocatalytic performance of such films against methylene blue degradation, showing that the as-prepared ZnO-SnO2 heterojunction was superior to the individual semiconductors, ZnO and SnO2. (AU)

Processo FAPESP: 12/15170-6 - Síntese e caracterização de filmes finos e espessos de ZnO: aplicação como sensores de gás
Beneficiário:Ariadne Cristina Catto
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 13/13888-0 - Síntese de nano-heteroestruturas de BiVO4/óxidos de bismuto e avaliação de suas propriedades fotocatalíticas.
Beneficiário:Osmando Ferreira Lopes
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 13/09573-3 - Síntese e Caracterização de Heteroestruturas de ZnO/SnO2 obtidas pelo Método Hidrotermal: Aplicação como Sensores de Gás
Beneficiário:Luís Fernando da Silva
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Processo FAPESP: 13/07296-2 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais
Beneficiário:Elson Longo da Silva
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Centros de Pesquisa, Inovação e Difusão - CEPIDs