Resumo
Este trabalho tem por objetivo a caracterização elétrica de filmes finos e ultra-finos de oxinitretos de silício (SiOxNy) e de alumínio (AlNxOy). Estes filmes apresentam maiores constantes dielétricas do que o dióxido de silício (SiO2), que é o dielétrico mais utilizado nas portas de dispositivos com estrutura Metal-Óxido-Semicondutor (MOS). Alta constante dielétrica (high K) permite que …