Resumo
Os dispositivos semicondutores de potência fabricados com silício apresentam junções semicondutoras profundas, com cerca de 100µm de profundidade. Para assegurar o funcionamento dos dispositivos e minimizar os efeitos de borda nos valores de tensões de ruptura, as regiões expostas dessas junções devem apresentar um perfil definido com ângulo muito bem determinado. Este ângulo pode ser obt…