Caracterização microestrutural de resinas acrílicas constituídas de semicondutores para promoção de atividade antimicrobiana

A incorporação de semicondutores em resinas acrílicas pode promover atividade antimicrobiana, diminuir infecções e doenças orais, manter o desempenho físico-mecânicas para garantir longevidade ao dispositivo protético. Este estudo objetiva comparar o efeito antimicrobiano do semicondutor &beta;-AgVO3 em resina autopolimerizável (AP) e termopolimerizável (TP) anteriormente avaliados em diferentes concentrações com o semicondutor &alpha;-Ag2WO4 como uma alternativa de um novo material com potencial antimicrobiano. Para isso, foi determinada concentração inibitória mínima (CIM) de &beta;-AgVO3 e &alpha;-Ag2WO4 frente à C. albicans, S. mutans, S. aureus e P. aeruginosa. As propriedades antimicrobianas foram investigadas pelo ensaio de unidades formadoras de colônias (UFC), ensaio de redução de sais de tetrazólio-XTT e análise do biofilme por microscopia confocal a laser (MCL). As propriedades físico-mecânicas foram avaliadas por meio de ensaios de dureza, rugosidade superficial, resistência à flexão, resistência ao impacto, microscopia eletrônica de varredura (MEV), análise elementar por energia dispersiva (EDS) e Espectroscopia no infravermelho por transformada de Fourier (FTIR). Para análise dos dados, realizou-se análise qualitativa de CIM, MCL, MEV e EDS. Two-way ANOVA seguido de pós-teste de bonferroni com (P >0.05) para UFC, One-way ANOVA seguido de pós-teste de Tukey com (P <0.05) para resistência a flexão, rugosidade, dureza e resistência ao impacto e Kruskal-Wallis e pós teste de Dunn (P >0,05) para o XTT. O &alpha;-Ag2WO4 apresentou melhor CIM em mg/mL frente à C. albicans, S. aureus e S. mutans comparado ao &beta;-AgVO3. A adição de &alpha;-Ag2WO4 não obteve eficácia antimicrobiana e a concentração de 3% de &beta;-AgVO3 foi eficaz para redução de C. albicans, S. mutans e P. aeruginosa. Para a dureza, a resina AP não apresentou alteração significativa com a incorporação dos semicondutores e foi reduzida no grupo 1% &alpha;-Ag2WO4 TP. O aumento da rugosidade na AP foi proporcional a adição de ambos os semicondutores e para a TP apenas os grupos 3% apresentaram aumento. A adição de 3% de ambos os semicondutores reduziu a resistência à flexão da resina TP. A resistência ao impacto foi reduzida em todos os grupos com incorporação na resina TP. No MEV observouse a presença de poros e irregularidades e no EDS os componentes químicos dos semicondutores adicionados. O espectro de FTIR não foi alterado com a incorporação nas resinas AP e TP. Pode-se inferir que &beta;-AgVO3 e &alpha;-Ag2WO4 apresentaram CIM bactericida e fungicida, a incorporação de 3% &beta;-AgVO3 promoveu atividade antimicrobiana e ambos os semicondutores alteraram as propriedades físico-mecânicas. (AU)