Aplicacao da tecnica de ablacao a laser acoplado ao espectrometro de massa de alta resolucao com fonte de plasma induzido (la-hr-icpms) na determinacao de impurezas em materiais.

Resumo

Neste projeto propõem-se a utilização da técnica de ablação a laser, acoplado à espectrometria de massa de alta resolução com fonte de plasma induzido, na análise de impurezas metálicas em cristais e vidros. Nesta técnica, as amostras são acondicionadas numa porta amostras, onde terão uma pequena fração vaporizada por meio de um feixe laser de alta potência. O material vaporizado é transportado até a fonte de plasma, ionizado e analisado pelo espectrômetro de massa. A quantificação dos constituintes de interesse é realizada por meio de uma curva de calibração externa, utilizando-se padrões certificados. A principal vantagem desta técnica consiste no fato das análises podarem ser realizadas via seca, evitando-se a contaminação por regentes. Os cristais a serem analisados são preparados por meio da técnica de Czochralski e refino por zona pelo Laboratório de Crescimento de Cristais do IPEN. (AU)