Bolsa 92/01619-6 - Silício, Sistemas fotovoltaicos

Processo:	92/01619-6
Modalidade de apoio:	Bolsas no Brasil - Mestrado
Vigência (Início):	01 de outubro de 1992
Vigência (Término):	30 de setembro de 1993
Área do conhecimento:	Engenharias - Engenharia Elétrica

Pesquisador responsável:	Adnei Melges de Andrade
Beneficiário:	João Paulo Bottecchia

Instituição Sede:	Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil

Assunto(s):	Silício Sistemas fotovoltaicos Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD) Desenvolvimento de novos materiais
Resumo Sendo o silício amorfo hidrogenado um material com características para aplicações em sistemas fotovoltaicos, transistores, sensores optoeletrônicos de imagem, circuitos integrados de películas finas e em reprografia e eletrografia, este projeto visa o estudo do desenvolvimento deste material através da conclusão da construção do novo reator do tipo PECVD no Laboratório de Microeletrônica da USP. O desenvolvimento de técnicas de deposição e caracterização das películas, além da construção do reator será o objeto do desenvolvimento do trabalho de mestrado do estudante João Paulo Bottecchia. (AU)

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Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

BOTTECCHIA, João Paulo. Películas de Si-ah: construção de um reator PECVD, estudo de técnicas de deposição e caracterizacao das películas.. 1994. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC) São Paulo.

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