Bolsa 98/04076-0 - Tecnologia de feixe de elétrons, Microeletrônica - BV FAPESP
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Caracterização e controle de plasmas por modulação de um feixe de elétrons para aplicações em microeletrônica e micromecânica

Processo: 98/04076-0
Modalidade de apoio:Bolsas no Exterior - Pesquisa
Data de Início da vigência: 18 de agosto de 1999
Data de Término da vigência: 17 de agosto de 2000
Área de conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Patrick Bernard Verdonck
Beneficiário:Patrick Bernard Verdonck
Pesquisador Anfitrião: Nicholas St. John Braithwaite
Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Instituição Anfitriã: Open University, Inglaterra  
Assunto(s):Tecnologia de feixe de elétrons   Microeletrônica   Plasma (estados da matéria)   Caracterização estrutural   Corrosão
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Caracterizacao | Corrosao | Feixe De Eletrons | Microeletronica | Micromecanica | Plasma

Resumo

As características (energia e densidade de elétrons e íons, potenciais de plasma e de eletrodos) de um plasma frio podem ser modificado injetando elétrons com densidade e energia controladas. Desta maneira é possível caracterizar melhor plasmas capacitivamente e indutivamente acoplados, e modificar as características de processos de corrosão por plasma. Neste trabalho pretendemos fazer estes tipos de caracterizações de plasmas, utilizando sondas eletrostáticas e espectrometria de emissão, dos dois tipos de plasma mencionados. Também verificaremos como a injeção de um feixe de elétrons possa modificar a corrosão de silício por um plasma de SF6. (AU)

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