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Estudo de micro e nanoestruturas baseadas em semicondutores crescidos por epitaxia por feixe quimico.

Processo: 97/09642-0
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de novembro de 1997
Vigência (Término): 31 de março de 1998
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Cesar Augusto Curvello de Mendonca
Beneficiário:Cesar Augusto Curvello de Mendonca
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores

Resumo

O projeto visa o estudo de estruturas de dimensionalidade menor que dois em sistemas tensionados obtidos por Epitaxia por Feixe Químico. Nos sistemas em que existe uma grande diferença entre o parâmetro de rede do filme depositado e da camada que o antecede, ocorre a auto-formação de estruturas de dimensões quânticas em duas (fios quânticos) ou três direções (pontos quânticos). Sua obtenção depende fortemente do controle dos processos de deposição e distribuição de filmes depositados por epitaxia sobre a superfície. A investigação deste processo tem sido viabilizada por técnicas de análise de superfícies e interfaces. (AU)

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