| Processo: | 02/05122-2 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |
| Vigência (Início): | 01 de outubro de 2002 |
| Vigência (Término): | 31 de março de 2004 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Gennady Gusev |
| Beneficiário: | Nilo Mauricio Sotomayor Choque |
| Instituição Sede: | Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Vinculado ao auxílio: | 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V, AP.TEM |
| Assunto(s): | Transporte eletrônico Pontos quânticos |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Pontos Quanticos | Sistemas Mesoscopicos | Transporte Eletronico |
Resumo Este projeto de pós-doutorado faz parte do projeto temático (Proc. 98/12779-0) cujo coordenador é o Prof. José Roberto Leite. Pretende-se estudar as propriedades de transporte de sistemas mesoscopicos em heteroestruturas crescidas por epitaxia de feixe molecular (MBE). Isto é, a construção e caracterização de dispositivos mesoscopicos em heteroestruturas contendo o gás bidimensional de elétrons, em substratos não planares pré-padronizados de GaAs, poços quânticos parabólicos contendo super-redes de antipontos, e pontos quânticos em sistemas contendo o gás tridimensional de elétrons. Para tal, contamos com o equipamento de crescimento epitaxial do Laboratório de Novos Semicondutores do IFUSP, e conta-se também com a colaboração do Prof. J. C. Portal do Centre National da Recherche Scientifique, de Grenoble, com reconhecida experiência no estudo de sistemas semicondutores em campos magnéticos intensos. A caracterização destes materiais será realizada empregando-se a infra-estrutura do grupo LNMS do IFUSP. (AU) | |
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