Bolsa 02/02696-8 - Arsenieto de gálio, Propriedades ópticas - BV FAPESP
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Preparação e caracterização óptica de filmes de a-Ga-XAsX para diferentes proporções de As

Processo: 02/02696-8
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Data de Início da vigência: 01 de julho de 2002
Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2004
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Jose Humberto Dias da Silva
Beneficiário:Douglas Marcel Gonçalves Leite
Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
Assunto(s):Arsenieto de gálio   Propriedades ópticas   Propriedades físicas   Caracterização   Fotoluminescência   Estrutura eletrônica   Refletância total atenuada
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Arseneto De Galio | Borda De Absorcao | Evaporacao Flash | Fotoluminescencia | Semicondutoras Amofos

Resumo

Investigaremos as propriedades ópticas e eletrônicas de filmes amorfos de Arseneto de Gálio (a-Ga1-XAsX), em diferentes composições, preparados por evaporação flash em vácuo. As composições analisadas estarão no intervalo Ga0,55As0,45 (sub-estequiométrico) chegando até a composição Ga0,25As0,75 (supra-estequiométrico). Os filmes estudados serão crescidos pelo método de evaporação flash, usando pó de GaAs e de As em diferentes proporções. Utilizaremos substratos de quartzo e silício cristalino para os estudos das propriedades ópticas nas faixas: ultravioleta, visível e infravermelho. A análise do material será feita através de medidas de transmitância e refletância a partir das quais serão determinadas as bordas de absorção de cada composição. Também serão feitas medidas de fotoluminescência nas principais amostras para caracterizar estados de defeitos no gap. Através da análise das bordas de absorção e da emissão de fotoluminescência, iremos estudar a influência do conteúdo de arsênio no material. Esta influência está relacionada aos estados eletrônicos nas proximidades das bandas de valência e de condução das ligas a-Ga1-XAsX. Estas ligas não apresentam análogo cristalino, e seu estudo contribuirá para o melhor entendimento das propriedades físicas e da estrutura eletrônica de ligas amorfas semicondutores. (AU)

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