Desenvolvimento de Resistores Integrados para aplicações em Ondas Milimétricas

Resumo

Em ondas milimétricas (mmW), diversas bandas não licenciadas estão sendo utilizadas para links de comunicação ponto a ponto com banda muito larga. Esses links multi-gigabit serão cruciais para a infraestrutura de aplicações emergentes de RF, mmW e THz voltadas ao mercado de telecomunicações de alta velocidade (gerações futuras de comunicação móvel, 6G e além), radares automotivos 77 GHz/120 GHz, imagens e sensores de radar de alta sensibilidade. Neste contexto, este projeto propõe o desenvolvimento de resistências integradas em ondas milimétricas em um interposer. O interposer proposto é baseado num revolucionário substrato MnM (metallic nanowires membrane) de baixo custo com inerente efeito de onda lenta. Essa nova tecnologia é baseada em membranas dielétricas nanoporosas preenchidas por nanofios metálicos obtidas através de processos de fabricação simples, mesmo em frequências tão ou mais altas que 100 GHz, onde as dimensões críticas dos circuitos encontram limitações até mesmo nas tecnologias mais avançadas comerciais (como CMOS), inviabilizando seu projeto. Este trabalho de iniciação científica tem como objetivo principal o desenvolvimento resistências de até 200 © integradas no interposer MnM. Para alcançar este objetivo, será necessário o desenvolvimento de filmes finos com resistividade apropriada. Além disso, também será necessário o desenvolvimento de um processo de fabricação que permita a fabricação dos resistores no interposer MnM e o projeto de resistores que operem até 220 GHz.