Acoplamento de filmes finos do semicondutor óxido SnO2 com derivados quinolínicos para aplicações optoeletrônicas

Resumo

A presente proposta envolve a deposição de camadas de dióxido de estanho (SnO2) e camadas de derivados quinolínicos (DQ), criando dispositivos transparentes simples, na forma de filmes finos, baseado na heterojunção SnO2/DQ. O SnO2 será depositado por sol-gel-dip-coating que leva a um material de alta transparência e razoáveis propriedades elétricas. Assim, combinaremos interessantes características de luminescência e transporte da quinolina com a transparência da matriz SnO2. Além das características de transparência e luminescência, temos a possível geração de alta condutividade na camada da quinolina, e/ou na interface, levando a uma estrutura de altíssima mobilidade, que pode propiciar a construção de transistores de efeito de campo (FET) de alta velocidade. Outra perspectiva é a formação de junção p-n já que SnO2 é naturalmente do tipo n e a quinolina tem características aceitadoras (tipo p). Alternativamente propõe-se também a adição de uma camada intermediária de nanoparticulas de poliestireno (PS). O aluno já vem trabalhando nessa linha de pesquisa nos últimos três anos, em projetos de Iniciação Científica, de modo que tem totais condições de desenvolver o presente projeto.