Estudo de transistores eletroquímicos baseados em compósitos de dissulfeto de molibdênio e poli(3,4-etilenodioxitiofeno)-poli(estireno sulfonato) depositados por spray

Resumo

A eletrônica orgânica, flexível e impressa se destaca no atual cenário de desenvolvimento da tecnologia. O seu nicho principal de aplicações são dispositivos de grandes áreas, com processamento em baixas temperaturas e de baixo custo. Além do mais, é desejável que tais dispositivos sejam produzidos por métodos e materiais compatíveis com as tecnologias de impressão. Dentre os componentes eletrônicos mais utilizados, o transistor se destaca devido sua importância tecnológica, estando presente em quase todos os circuitos eletrônicos. Recentemente, os transistores eletroquímicos orgânicos (OECTs) têm recebido bastante atenção devido a características como baixa tensão de operação e alta corrente de saída. Estes dispositivos são mais versáteis em termos de manufatura, podendo ser produzidos por técnicas de impressão. Materiais eletroquimicamente ativos e que possuem grande área superficial são interessantes para uso nos OECTs. O dissulfeto de molibdênio (MoS2) é um semicondutor com bandgap direto MoS2 de 1,8 eV que gera filmes porosos de grande área superficial. O poli (3,4-etilenodioxitiofeno)-poli(estireno sulfonato) (PEDOT:PSS) é um polímero conjugado com propriedades condutoras e possui estados oxidados estáveis. Dessa forma, propõe-se neste projeto preparar e caracterizar OECTs usando como material ativo o compósito PEDOT: PSS/MoS2 depositado por spray em substratos de papel. Visa-se o desenvolvimento do dispositivo e sua caracterização de forma a avaliar para quais aplicações terá maior potencial. Assim, tem-se a expectativa de que este projeto venha contribuir para a área da eletrônica impressa apresentado um dispositivo de simples fabricação com boa performance.