Estudo fotofísico e eletroquímico de géis baseados em semicondutores orgânicos

Resumo

Géis de polisilsesquioxanos baseados em Diimidas Aromáticas (DAs) têm grande potencial de aplicabilidade tecnológica. Sua eficiência como semicondutor orgânico pode ser melhorada por modificações na estrutura da rede 3D, por exemplo, pelo aumento do número de moléculas agregadas em conformação específica de forma a favorecer o desdobramento de estados de deslocalização eletrônica, ou pela mistura com outras moléculas com propriedades eletroquímicas desejadas. A presente proposta de pesquisa almeja o desenvolvimento de 3 categorias de géis: 1) géis polisilsesquioxanos de diimidas aromáticas: estudo da origem e desativação dos eventos foto- e eletrocrômicos; 2) géis poliméricos multicomponentes: aos géis de polisilsesquioxanos serão adicionadas espécies químicas doadoras de elétrons para maximizar o processo de transferência de carga; 3) géis supramoleculares multicomponentes: mistura de agentes gelificantes com caráter aceptor de elétrons - diimidas aromáticas e derivados viologênios; 4) expansão da série de moléculas híbridas: formação de materiais híbridos baseados em niobato e naftaleno diimidas. Pretende-se correlacionar as propriedades foto- e eletroquímicas dos géis com a composição e arquitetura da rede 3D por meio de técnicas como espectro- eletroquímica, fluorescência, espectroscopia de impedância, ressonância paramagnética eletrônica, de dicroísmo circular, difração e espalhamento de raios-X e microscopias de transmissão e varredura TEM (CrioTEM) e MEV. Como aplicação serão feitos testes de viabilidade para o uso em sistemas eletroquímicos tais como sensores e baterias são previstas. (AU)