| Processo: | 17/25336-2 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Iniciação Científica |
| Vigência (Início): | 01 de abril de 2018 |
| Vigência (Término): | 31 de dezembro de 2018 |
| Área do conhecimento: | Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação |
| Pesquisador responsável: | Paula Ghedini Der Agopian |
| Beneficiário: | Welder Fernandes Perina |
| Instituição Sede: | Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus Experimental São João da Boa Vista. São João da Boa Vista , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Transistores Microeletrônica Radiação (energia radiante) |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Caracterização Elétrica | FinFETs | radiação | Microeletrônica |
Resumo Com o avanço da tecnologia MOSFET, o controle das cargas na região do canal torna-se cada vez mais difícil e complexo. Os SOI MOSFET de múltiplas portas (Silicon-On-Insulator), também conhecidos como transistores FinFET, aparecem como uma alternativa aos planares devido ao melhor acoplamento eletrostático entre a porta e o canal, o que resulta em maior imunidade aos efeitos de canal curto. Uma das aplicações importantes de circuitos integrados avançados é a sua utilização em equipamentos e circuitos submetidos a um ambiente de radiação para aplicações médicas e aeroespaciais. Neste projeto será realizado o estudo teórico e experimental dos transistores FinFET submetidos à radiação. (AU) | |
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