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Fabricação de células solares MOS utilizando estruturas Al/TiO2/SiO2/Si

Processo: 16/17826-7
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de março de 2017
Vigência (Término): 28 de fevereiro de 2019
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Acordo de Cooperação: Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
Pesquisador responsável:Sebastiao Gomes dos Santos Filho
Beneficiário:William Chiappim Junior
Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Microeletrônica   Células solares
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Ald | Células Solares | Limpeza RCA | Modelagem | Mos | Óxido de Porta ultrafino | Simulação | Microeletrônica

Resumo

O desenvolvimento de células solares de baixo custo e alta eficiência terá grande aplicação como fonte de energia distribuída, principalmente para fornecimento de energia em lugares isolados e distantes da rede elétrica com as vantagens de não consumir combustível fóssil, não produzir poluição nem contaminação ambiental, ter longa vida útil, ser resistente às condições climáticas extremas, não ter peças móveis exigindo pouca manutenção e por permitir o aumento da potência instalada por meio da incorporação de módulos adicionais. Para isso, a tecnologia de células solares deve sobressair-se em três áreas principais: redução do custo, aumento da eficiência e durabilidade. Neste contexto as células solares do tipo MOS vêm recebendo atenção devido à simplicidade de montagem e seus baixos custos. O presente projeto visa à fabricação, otimização e caracterização de células solares tipo MOS empregando uma estrutura alternativa do tipo Al/TiO2/SiO2/Si. Para isso serão realizados os estudos teóricos e experimentais sobre as estruturas Al/TiO2/SiO2 em substratos de silício com áreas extensas (4cm x 4cm), já próximas das dimensões comerciais e, também, serão fabricados protótipos de células solares tipo MOS as quais serão caracterizadas quanto a sua eficiência utilizando equipamento de medida CxV e IxV e simulador solar comercial. As etapas de desenvolvimento incluem o levantamento dos parâmetros fotovoltaicos (corrente de fundo, corrente de curto circuito, tensão em circuito aberto, fator de preenchimento e eficiência) para diversas condições de geometria e processamento visando à otimização e obtenção das melhores condições de fabricação de células solares tipo MOS com área de até 80cm2 sobre lâminas de silício de 4 polegadas de diâmetro. (AU)

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Publicações científicas (7)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
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CHIAPPIM, WILLIAM; WATANABE, MARCOS; DIAS, VANESSA; TESTONI, GIORGIO; RANGEL, RICARDO; FRAGA, MARIANA; MACIEL, HOMERO; DOS SANTOS FILHO, SEBASTIAO; PESSOA, RODRIGO. MOS Capacitance Measurements for PEALD TiO2 Dielectric Films Grown under Different Conditions and the Impact of Al2O3 Partial-Monolayer Insertion. NANOMATERIALS, v. 10, n. 2, . (18/01265-1, 15/05956-0, 11/50773-0, 15/10876-6, 16/17826-7)

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