Fabricação de memórias ReRAM a base de filmes finos de CuxS e COS

Resumo

Este projeto de pós-doutorado consiste no estudo da aplicação de filmes finos de sulfetos de cobre e cobalto (CoS, Cu2-xS e CuS) como camadas ativas de memristores. O estudo será focado na fabricação de dispositivos multicamada, cuja função será de memória eletrônica. Para a deposição das camadas do semicondutor serão utilizadas as técnicas que o candidato desenvolveu durante o seu doutorado (processo 2013/07396-7); além de serem econômicas, tais técnicas mostraram-se adequadas no campo das células solares baseadas em corantes. Propomos métodos de fabricação em larga escala de memristores, através de processos de impressão. Os dispositivos serão baseados numa estrutura a dois terminais contendo um sanduiche de semicondutores diferentes. Serão estudadas as interfaces entre o CuS e a sua fase não estequiométrica Cu2-xS, que podem ser impressos diretamente no substrato de maneira sequencial, da mesma forma as junções entre CoS e CuS ou Cu2-xS serão consideradas. Todos os dispositivos serão caracterizados utilizando as mais modernas técnicas eletroquímicas tais como impedância e voltametria cíclica, além de técnicas de microscopia. Os dispositivos serão implementados num sistema de deposição automático desenvolvido pelo interessado (patente depositada) baseado num microcontrolador. O presente projeto conta com a colaboração do instituto de materiais do Consiglio Nazionale delle Ricerche (ISM-CNR, Montelibretti, Roma, Italia). (AU)