Caracterização elétrica e simulação tridimensional de nanofios transistores MOS

Resumo

A crescente miniaturização dos dispositivos eletrônicos tem dificultado a utilização de transistores MOS planares em tecnologias extremamente submicrométricas devido à presença de efeitos de canal curto. Transistores MOS com múltiplas portas melhoram sensivelmente o controle das cargas na região de canal, reduzindo a ocorrência de tais efeitos. Portanto, estes dispositivos têm sido considerados bastante promissores para tecnologias futuras. Diversos transistores de múltiplas portas, tais como os FinFETs de porta dupla ou tripla, têm ganhado bastante atenção da comunidade científica graças ao seu bom desempenho em aplicações digitais. Outra estrutura de múltiplas portas, desenvolvida recentemente, que tem apresentado resultados promissores são os nanofios transistores MOS.Estas estruturas possuem seção transversal de poucos nanômetros, possibilitando excelente controle eletrostático e minimizando os efeitos indesejáveis encontrados em transistores MOS com comprimentos de canal da ordem de 10 nanometros. Neste projeto de pesquisa de doutorado deseja-se estudar, por meio de simulações numéricas e medidas experimentais, os efeitos da temperatura sobre as propriedades elétricas de nanofios transistores, procurando identificar o comportamento dos dispositivos com a sua física de funcionamento. Serão estudados os efeitos da temperatura sobre as características elétricas dos nanofios transistores, considerando a ação ou não de tensão mecânica no Si, assim como a adoção ou não de rotação no substrato. Com o intuito de se alcançar os objetivos propostos, serão realizadas simulações numéricas tridimensionais em nanofios transistores de canal curto em função da temperatura. Os nanofios transistores a serem estudados foram e serão fabricados no CEA-Leti, França. (AU)