Construção e caracterização de transistores orgânicos de efeito de campo em arquitetura vertical utilizando materiais nanoestruturados como eletrodo intermediário

Resumo

Este projeto de doutorado direto consiste na construção e caracterização de transistores orgânicos de efeito de campo em arquitetura vertical (VOFETs) utilizando diferentes materiais nanoestruturados como eletrodo intermediário. Atenção especial será dada a obtenção de um eletrodo intermediário que atende as exigências deste tipo de dispositivo, ou seja, um bom condutor elétrico de maneira que o potencial elétrico seja uniforme ao longo de todo o contato e, com alta permeabilidade a campos elétricos. Para isto, propõe-se em utilizar duas nanoestruturas com propriedades atrativas que possibilitam esta aplicação: os nanotubos de carbono (NTCs) e os nanofios de óxido de estanho dopado com índio (nanofios de ITO). Com intuito de se obter filmes finos de alta qualidade baseados nessas nanoestruturas, técnicas de deposição como a dieletroforese, spin-coating e outras serão testadas e avaliadas com objetivo de verificar qual técnica se adequada melhor para a formação de filmes finos com as propriedades requeridas para compor o eletrodo intermediário dos dispositivos. Inicialmente, visando uma melhora significativa nas características elétricas desses dispositivos, as camadas ante e subsequentes dos VOFETs serão construídas utilizando materiais previamente selecionados, tendo como principal variável apenas o eletrodo intermediário. A caracterização dos transistores será feita a partir da obtenção de curvas I x V de três terminais buscando-se obter baixas correntes de fuga, altos valores de transcondutância e altas razões ON/OFF. Por fim, o sucesso desta tecnologia, permitirá o uso de outros materiais nas diferentes camadas dos dispositivos, uma possível alternativa, é o uso da melanina como substituta na camada orgânica. (AU)