Transistores de camada dupla baseados em condutores iônicos cristalinos

Resumo

Explorar alterações ocorridas na estrutura eletrônica de interfaces entre materiais ferromagnético e ferroelétrico é uma estratégia que tem sido utilizada para obtenção de estruturas com forte acoplamento entre as ordens ferroicas. Como exemplo, o acoplamento entre ordens ferroicas em filmes finos e interfaces pode influenciar o transporte de cargas e spin em tais materiais, oferecendo possibilidades versáteis para desenvolvimento de novos dispositivos nanoeletrônicos. A obtenção de dispositivos com tal acoplamento entre diferentes ordens ferroicas é o principal objetivo do projeto inicial de pós doutoramento ao qual este projeto está vinculado (projeto FAPESP 2012/18397-1). O crescimento de filmes finos epitaxiais de óxidos complexos é uma tarefa complexa e com este estágio pretende-se alcançar o suporte técnico necessário para sua execução no Grupo de Física de Materiais Complexos (GFMC) da Universidade Complutense de Madrid (UCM - Espanha) com um objetivo duplo: (i) O candidato aprenderá com ambiente de trabalho e com a experiência existente no GFMC; enquanto (ii) desenvolve um trabalho de pesquisa incluindo crescimento de heteroestruturas de óxidos complexos. Além destes, o estágio irá fortalecer a colaboração entre GFMC e o Laboratório nacional de luz síncrotron com um projeto de pesquisa comum entre os laboratórios a ser desenvolvido com participação direta do candidato. (AU)