Dopagem de matrizes semicondutoras com terras-raras Ce e Eu: investigação do transporte elétrico e eficiência na emissão

Resumo

Neste projeto de mestrado o trabalho de pesquisa envolve, numa primeira etapa, a produção e caracterização elétrica de filmes finos de SnO2 dopados com Eu e também com Ce, depositados pelo processo de molhamento via sol-gel. Numa segunda etapa será feita a deposição de filmes finos de GaAs, pela técnica de evaporação resistiva, sobre os filmes de dióxido de estanho, visando combinar a incorporação do terra-rara na matriz do semicondutor óxido com um semicondutor de alta mobilidade. Serão analisadas as condições de deposição e serão avaliadas as características elétricas dos filmes e eletrodos depositados, com diferentes dopagens dos íons terras-raras. As medidas a serem realizadas incluem: resistividade em função da temperatura, absorção ótica, difração de raios-X, corrente-voltagem em função da temperatura, capacitância e fotoluminescência. Nossos laboratórios contam com toda a infra-estrutura necessária para o desenvolvimento destas medidas. Serão realizadas também medidas de microscopia eletrônica de varredura, visando avaliar a qualidade da interface substrato/SnO2 e SnO2/GaAs, e estimar a espessura do filmes depositados, já que o canal de condução é um parâmetro fundamental na avaliação das propriedades de transporte. O objetivo principal é desenvolvimento do conhecimento científico e tecnológico, visando a confecção de dispositivos eletroluminescentes.