Efeito da tensão mecânica em transistores de múltiplas portas operando em temperaturas criogênicas

Resumo

Os transistores MOS com porta dupla (double gate) constituem uma promissora alternativa para solucionar os problemas decorrentes da contínua redução das dimensões dos trasistores MOS, devido às excelentes melhoras no desempenho dos dispositivos MOS com dimensões extremamente submicrométricas (deep-submicrometer), com comprimentos de canal inferiores a 100 nm. Mais recentemente, a partir dos conceitos dos transistores de porta dupla, estruturas com múltiplas portas vêm sendo estudadas, devido ao excelente controle das cargas do canal que pode ser obtido com estes transistores.O uso de tensão mecânica ("strain") sobre o canal do transistor passou a ser um artifício bastante explorado como meio de aumentar a mobilidade dos transistores e, como conseqüência, a corrente elétrica. Diversos trabalhos vêm sendo publicados sobre o emprego de tensão mecânica sobre os transitores MOS implementados em tecnologia SOI, em sua maioria com vistas à aplicações digitais. Entretanto, os efeitos da tensão mecânica sobre transistores de múltiplas portas ainda é pouco conhecido. Neste trabalho será realizado um estudo comparativo da operação de transistores de múltiplas portas em função da temperatura, desde 80 K até 300 K, com e sem a presença de tensão mecânica na região de canal, combinando as vantagens oriundas da redução da temperatura com as propiciadas pelas estruturas de múltiplas portas. (AU)