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Propriedades de transporte em sistemas 2D sob irradiação de micro-ondas

Resumo

O desenvolvimento rápido da pesquisa em física no mundo exige uma colaboração internacional de cientistas que trabalhem em áreas similares; o Dr. A.S. Yaroshevich do Instituto de Física de Semicondutores (Novosibirsk, Rússia) é especialista em transporte quântico. Ele é um autor de inúmeras publicações, uma parte considerável de seu registro de pesquisa é dedicada às propriedades eletrônicas dos poços quânticos e dos isoladores topológicos, o que é essencial para nosso projeto. Dr. Yaroshevich é experiente em medidas das características de transporte quântico em sólidos e sua visita será muito útil para apoiar a pesquisa realizada no Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (LNMS-IFUSP). Essa colaboração entre a IFUSP e o Instituto de Física dos Semicondutores de Novosibirsk provou ser muito útil e seus resultados foram publicados em muitos artigos nas revistas de física com alto fator de impacto (principalmente Physical Review B e Physical Review Letters). Alguns dos resultados desta colaboração também foram relatados nas conferências internacionais sobre propriedades eletrônicas de sistemas bidimensionais, em física de semicondutores e na aplicação de campos magnéticos elevados em Física de semicondutores e nanotecnologia. O objetivo do projeto é estudar experimentalmente o transporte quântico em gás 2D em poços GaAs e isoladores topológicos com base em HgTe bem sob irradiação de micro-ondas. O presente projeto de pesquisa assume o desenvolvimento e a implementação de novos métodos de estudo do transporte de elétrons em gás 2D, e está focado na física fundamental, portanto, seus principais objetivos são: busca de novos fenômenos físicos, extensão do conhecimento no campo e verificação experimental das teorias existentes. Os benefícios práticos do projeto dependem de possíveis aplicações de poços quânticos para fotodetectores de micro-ondas. (AU)

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Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
GUSEV, G. M.; JAROSHEVICH, A. S.; LEVIN, A. D.; KVON, Z. D.; BAKAROV, A. K.. Viscous magnetotransport and Gurzhi effect in bilayer electron system. Physical Review B, v. 103, n. 7, . (15/16191-5, 17/21340-5)

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