Comportamento de nanodispositivos em tecnologia MOSFET e/ou tecnologias compatíveis

Resumo

Com a contínua redução dos dispositivos, a tecnologia CMOS de fabricação, que atualmente atingiu escalas nanométricas, tem se deparado com problemas como os efeitos de canal curto. Como alternativa a esta tecnologia, as indústrias têm substituído a tecnologia CMOS convencional pela tecnologia de silício sobre isolante (SOI) e estruturas de múltiplas portas (MuGFETs). No entanto, para dimensões abaixo de 22nm mesmo esta tecnologia tem chegado ao limite de seu escalamento. Devido ao limite deste escalamento, novas alternativas têm sido estudadas para prolongar o uso da tecnologia MOS e outras para substituí-las. Dentre as alternativas que atualmente são utilizadas pelos maiores fabricantes de CIs (IBM, Intel, STMicroelectronics, etc.) podemos citar os dispositivos SOI UTBB e os FinFETs. Entre as alternativas que podem substituir a tecnologia MOSFET em futuros nós tecnológicos, podemos citar o transistor de efeito de campo induzido por tunelamento (TFET), que é um dispositivo baseado em silício (Si, Ge ou III-V porém integrados em silício) e compatível com a tecnologia MOS, porém com princípio de funcionamento diferente. A vinda do Prof. Cor Claeys será de extrema importância porque o Prof. Cor Claeys é um dos mais importantes Pesquisadores/Professores do mundo na área de dispositivos semicondutores, com mais de 1100 publicações. Além disso, ele esteve à frente de diversos grupos de pesquisa dentro do Imec na Bélgica (um dos 2 maiores centros de pesquisa em microeletrônica/nanoeletrônica da Europa) onde está envolvido com as tecnologias mais recentes. Assim, a vinda do prof. Cor Claeys nos permitirá também conhecer maiores detalhes de tecnologia de fabricação dos novos FinFETs (canal de germânio) e dos TFETs (fabricados com material III-V) que será muito útil para acompanhar a evolução destes nanodispositivos e assim me auxiliar na orientação de dissertações/teses no Brasil. (AU)