Luminescência de Eu3+ na heterojunção GaAs/SnO2 na forma de filmes finos

Resumo

Filmes finos de dióxido de estanho (SnO2) dopados com Eu3+, são depositados pelo processo sol-gel-dip-coating sobre filmes de GaAs, depositados por evaporação resistiva sobre substratos de vidro. A heterojunção assim constituída leva a interessantes propriedades de emissão do íon terra-rara, ao contrário de SnO2 depositado diretamente sobre substratos de vidro, aonde as transições de Eu3+ estão ausentes. Na heterojunção, as transições de Eu3+ são claramente identificadas e são similares à emissão de amostras na forma de pós prensados (pastilhas), tratadas termicamente a temperaturas muito mais altas que os filmes. Porém, na forma de filmes, em conjunto com as transições do Eu é observada também uma banda larga, em energia mais alta comparada as emissões de Eu3+. Esta banda larga é deslocada para energias mais altas conforme a temperatura de tratamento térmico aumenta, assim como o cristalito também aumenta. Embora o tamanho dos nanocristalitos indiquem um confinamento quântico, uma outra causa para essa banda larga parecer mais consistente com os dados obtidos: a transferência de elétrons entre as vacâncias de oxigênio, originárias da desordem no material, e ions terras-raras trivalentes, que apresentam caráter aceitador nesta matriz. Esta transferência de elétrons deve relaxar para temperaturas mais altas no caso das pastilhas e a banda larga é eliminada. (AU)