Filmes finos de óxidos e/ou complexos de metais de transição para dispositivos moleculares

Resumo

O presente projeto pretende dar continuidade ao projeto 2008/58547-7, intitulado "Filmes finos de complexos de metais de transição para o desenvolvimento de dispositivos optoeletrônicos", que foi financiado até o novembro de 2011. Vários complexos polipiridínicos como rutênio(II), rênio(I) e irídio(III) serão sintetizados e caracterizados por diferentes técnicas (análise elementar, espectroscopia de absorção e emissão, cromatografia TLC, RMN 1H, voltametria cíclica etc.). As propriedades fotoquímicas e fotofísicas serão investigadas inicialmente em solução fluída para serem comparadas aos dos filmes. Os filmes serão preparados a partir de soluções de compostos de coordenação e/ou em combinação com polímeros por diferentes técnicas de deposição, controlando suas propriedades morfológicas. Filmes finos de semicondutores com separação grande de banda, tais como TiO2 e/ou ZnO, serão preparados para terem os complexos incorporados por meio de adsorção química na superfície de óxidos. A morfologia dos filmes será caracterizada por espectroscopia de absorção UV-vis, perfilometria, microscopia eletrônica e/ou de força atômica. As propriedades elétricas e fotoeletroquímicas serão determinadas por curvas de corrente-potencial e espectroscopia de impedância. O desempenho dos filmes será avaliado em sensores e dispositivos de conversão de energia, tais como células solares sensibilizadas por corantes (DSCs) ou dispositivos eletroluminescentes (OLEDs/LECs). (AU)