Desenvolvimento de uma metodologia eletroquímica de dopagem seletiva de filmes semicondutores eletrodepositados de selênio baseado na eletrodeposição em regime de subtensão

Resumo

Neste projeto se propõe sintetizar e caracterizar pontos quânticos (quantum dots, QDs) do semicondutor telureto de cádmio (CdTe) de diferentes diâmetros, encapados com tri-n-octilfosfina (TOP) e óxido de tri-n-octilfosfina (TOPO). O diâmetro das nanoestruturas será controlado pela temperatura do meio reacional e avaliado por medidas de absorção no UV-vis. Consecutivamente, nanotubos de ZnO alinhados verticalmente serão depositados sobre aço inoxidável, sobre o eletrodo de Pt da microbalança eletroquímica de cristal de quartzo e sobre ITO, a partir de um banho de 5 mM de ZnCl2 em KCl 0,1 M como eletrólito, saturado de oxigênio e caracterizado por medidas de microscopias AFM e SEM-FEG e por difração de raios-X. Para a modificação destes nanotubos com as QDs, o recobrimento TOP/TOPO destas será modificado para um recobrimento com alcanotiol (ácido mercapto propiônico - AMP) e posterior adsorção por imersão na superfície modificada com os nanotubos de ZnO, monitorado pela microbalança de cristal de quartzo. As características elétricas, óticas e eletroquímicas deste eletrodo modificado serão avaliadas por meio de medidas de voltametria, impedância eletroquímica, absorção no UV-vis. (AU)