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Desenvolvimento do cristal semicondutor de brometo de tálio para aplicações como detectores de radiação e espectrômetro de cintilação

Resumo

Os compostos semicondutores contendo elementos de número atômico alto e energia de banda proibida larga vem sendo pesquisados para uso como detectores de radiação X e gama, pois apresentam alta resolução energética, operando à temperatura ambiente. Além da sua capacidade de discriminar níveis da energia incidente, sem necessitar de refrigeração criogênica como detectores de germânio, esses cristais são citados como materiais promissores para serem confeccionados como fotodetectores e acoplados a cintiladores. Assim, poderão substituir a fotomultiplicadora e fotodiodos de Si, os quais não são disponíveis no mercado nacional. Dentre esses compostos, o cristal de TIBr apresenta características adequadas para as duas aplicações. A proposta desse projeto é alcançar o domínio da tecnologia de crescimento do cristal de TIBr, visando o seu desenvolvimento como: (a) detectores semicondutores de radiação com alta resolução espectrométrica para raios X e gama de baixas energias e (b) fotodetectores para acoplamento em cintiladores, dando ênfase na preparação e caracterização de todos os parâmetros necessários para o seu desempenho como espectrômetro de cintilação. Uma aplicação imediata para o cristal aqui desenvolvido será na área da Medicina, utilizando-o como sonda cirúrgica. Este equipamento tem por finalidade localizar com maior precisão tecidos afetados por células cancerígenas e assim auxiliar o cirurgião na incisão precisa dos tecidos malignos e na identificação de nódulos linfáticos durante a cirurgia. Parte deste projeto está relacionado com a tese de doutoramento da aluna Icimone Braga de Oliveira (FAPESP 01/09049-5). (AU)

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