| Processo: | 01/09588-3 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional |
| Vigência: | 02 de abril de 2002 - 16 de abril de 2002 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Adalberto Fazzio |
| Beneficiário: | Adalberto Fazzio |
| Pesquisador visitante: | Su Huai Wei |
| Inst. do pesquisador visitante: | National Renewable Energy Laboratory (NREL), Estados Unidos |
| Instituição Sede: | Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Semicondutores Superfícies Simulação por computador Materiais amorfos Termodinâmica Propriedades eletrônicas Metais de transição Silício Germânio Intercâmbio de pesquisadores |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Amorfos | Calculos Ab Initio | Defeitos | Semicondutores | Simulacao Computacional | Superficies |
Resumo
Investigaremos propriedades eletrônicas, estruturais e termodinâmicas de defeitos em ligas de Silício Germânio cristalino e amorfo e de metais de transição na superfície do GaAs. O estudo será feito utilizando-se várias ferramentas teórico-computacionais entre elas: Cálculos de energia total e propriedades eletrônicas através de métodos ab initio como a Teoria do Funcional Densidade e o método dos pseudopotenciais. Além disso, a determinação da estrutura configuracional da liga amorfa será feita de duas formas alternativas: Resfriamento simulado por meio de potenciais clássicos empíricos e modelamento através de redes aleatórias sem defeitos topológicos. (AU)
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