| Processo: | 02/11210-1 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Vigência: | 01 de março de 2003 - 29 de fevereiro de 2004 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Gennady Gusev |
| Beneficiário: | Gennady Gusev |
| Instituição Sede: | Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Física mesoscópica Pontos quânticos Semicondutividade Condução eletrônica |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Bilhar Eletronico 3D | Pontos Quanticos | Sistemas Mesoscopicos | Transporte Eletronico |
Resumo
Este projeto de pós-doutorado faz parte do projeto temático (Proc. 98/12779-0) cujo coordenador é o Prof José Roberto Leite. Pretende-se estudar as propriedades de transporte de sistemas mesoscópicos em heteroestruturas crescidas por epitaxia de feixe molecular (MBE). Isto é, a construção e caracterização de dispositivos mesoscópicos em heteroestruturas contendo o gás bidimensional de elétrons, em substratos não planares pré-padronizados de GaAs, poços quânticos parabólicos contendo super-redes de antipontos, e pontos quânticos em sistemas contendo o gás tridimensional de elétrons. Para tal, contamos com o equipamento de crescimento epitaxial do Laboratório de Novos Semicondutores do IFUSP, e conta-se também com a colaboração do Prof J. C. Portal do Centre National da Recherche Scientifiqué, de Grenoble, com reconhecida experiência no estudo de sistemas semicondutores em campos magnéticos intensos. A caracterização destes materiais será realizada empregando-se a infra-estrutura do grupo LNMS do IFUSP. (AU)
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