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Formacao de defeitos e propriedades mecanicas de superficies semicondutoras: analise por microscopia de varredura por ponta de prova.

Processo: 99/06269-2
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de setembro de 1999 - 31 de outubro de 2002
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Mônica Alonso Cotta
Beneficiário:Mônica Alonso Cotta
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Defeitos  Rugosidade  Interface 

Resumo

Este projeto propõe a análise de superfícies processadas e crescidas de semicondutores III-V com técnicas de microscopia de varredura por ponta de prova. Superfícies de amostras semicondutoras processadas serão caracterizadas em termos da rugosidade e contaminação superficial para cada tipo de processo. Também pretendemos estudar a formação e evolução de defeitos cristalinos em filmes dopados, ordenados ou na transição do modo de crescimento de filmes tensionados. Estes resultados serão importantes para o modelamento do crescimento epitaxial e para a eliminação dos defeitos em heteroestruturas e desenvolvimento de novas técnicas de epitaxia, que servirão para fabricação de dispositivos no LPD/IFGW/UNICAMP. (AU)

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