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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Semiconductor optical amplifier cavity length impact over data erasing/rewriting

Texto completo
Autor(es):
Ribeiro, Napoleao S. [1] ; Gallep, Cristiano M. [2] ; Conforti, Evandro [1]
Número total de Autores: 3
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Estadual Campinas, UNICAMP, Fac Elect & Comp Engn, Dept Microwaves & Opt, BR-13081970 Campinas, SP - Brazil
[2] Univ Estadual Campinas, UNICAMP, Div Telecommun Technol, Sch Technol, BR-13081970 Campinas, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Microwave and Optical Technology Letters; v. 55, n. 5, p. 998-1001, MAY 2013.
Citações Web of Science: 3
Resumo

The erasing of optical carrier intensity modulation and posterior data rewriting are analyzed for two semiconductor optical amplifiers with different active lengths: 2 mm and 8 mm long.Input signal extinction ratios (ERin) varying from 3.5 dB up to 10 dB are tested for the downstream channel at different bit rates (from 7 Gb/s up to 56 Gb/s), followed by remodulation of the upstream channel at 7 Gb/s. The ultra-long 8 mm device shows superior performance, working error-free for bit rates up to 30 Gb/s, with negligible power penalties for moderate ERin. However, for high bit rates (>40 Gb/s) and high input extinction ratios (ERin = 10 dB), the 8 mm device shows error-floor at BER = 106. In comparison, even for moderate ERin at 40 Gb/s, the 2 mm device already presents error-floors at BER = 103. (c) 2013 Wiley Periodicals, Inc. Microwave Opt Technol Lett 55:9981001, 2013; View this article online at wileyonlinelibrary.com. DOI 10.1002/mop.27496 (AU)

Processo FAPESP: 07/56024-4 - Tecnologias ópticas coerentes
Beneficiário:Evandro Conforti
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Parceria para Inovação Tecnológica - PITE
Processo FAPESP: 09/08537-8 - Chaveamento eletro-óptico amplificado baseado em injeção multipulso em amplificadores ópticos a semicondutor
Beneficiário:Napoleao dos Santos Ribeiro
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Processo FAPESP: 05/51689-2 - Centro de Pesquisa em Óptica e Fotônica - UNICAMP (CEPOF-UNICAMP)
Beneficiário:Hugo Luis Fragnito
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Centros de Pesquisa, Inovação e Difusão - CEPIDs