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Chaveamento eletro-óptico ultrarrápido e conversão regenerativa utilizando amplificadores ópticos a semicondutor

Autor(es):
Ribeiro, Napoleão dos Santos
Número total de Autores: 1
Tipo de documento: Tese de Doutorado
Imprenta: Campinas. 22 out. 2009. 194 f., ilustrações.
Instituição: Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação
Data de defesa:
Membros da banca:
Conforti, Evandro; Giraldi, Maria Thereza Miranda Rocco ; Sombra, Antonio Sergio Bezerra; Cruz, Carlos Henrique de Brito; Bordonalli, Aldario Chrestani
Orientador: Conforti, Evandro; Gallep, Cristiano de Mello
Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
Indexada em: Base Acervus-UNICAMP; Biblioteca Digital da UNICAMP
Localização: Universidade Estadual de Campinas. Biblioteca Central Cesar Lattes; T/UNICAMP; R354c
Resumo

As chaves eletro-ópticas ultrarrápidas, os regeneradores e os conversores em comprimento de onda são dispositivos promissores para serem incorporados nas futuras redes ópticas. Neste trabalho, apresentam-se simulações e respectivas medições relativas a uma técnica de redução do tempo de chaveamento eletro-óptico. Esta técnica baseia-se na injeção de uma combinação de múltiplos pulsos de corrente no interior da região ativa de um amplificador óptico a semicondutor. A partir das simulações, foi estudado o melhor formato do sinal de corrente de injeção no amplificador óptico a semicondutor, assim como possíveis modificações no circuito equivalente deste amplificador visando a uma maior redução do tempo de chaveamento, obtendo-se previsão de valores de tempo de chaveamento em valor recorde, da ordem de 300 ps, para um contraste óptico de 26 dB. Além disso, um regenerador simples tipo 2R (reamplificação e reformatação) e conversor em comprimento de onda utilizando apenas um SOA também é apresentado. Este dispositivo apresentou e cientes resultados de regeneração para diferentes casos de deterioração em taxa de bits de até 13,5 Gbps em um faixa de conversão de alguns nanômetros. Demonstrou-se também ser pouco dependente à polarização óptica do sinal de entrada e capaz de ser integrado a outros dispositivos. Por último, resultados simulados para a implementação de uma futura técnica de alimentação adiante, em conjunto com a injeção de múltiplos pulsos de corrente em SOA, são discutidos. (AU)

Processo FAPESP: 06/55074-5 - Transistor óptico ultra-rápido de alto ganho em faixa larga
Beneficiário:Napoleao dos Santos Ribeiro
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado