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Ernesto Jiménez Villar | Universidade de Valência - Espanha

Processo: 10/51969-3
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
Vigência: 06 de dezembro de 2010 - 05 de dezembro de 2011
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Carlos Lenz Cesar
Beneficiário:Carlos Lenz Cesar
Pesquisador visitante: Ernesto Jiménez Villar
Inst. do pesquisador visitante: Universitat de València, Espanha
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:05/51689-2 - Centro de Pesquisa em Óptica e Fotônica - UNICAMP (CEPOF-UNICAMP), AP.CEPID
Assunto(s):Nanotecnologia  Nanopartículas  Filmes finos  Semicondutores (físico-química) 

Resumo

Crescimento de pontos quânticos de PbTe imerso na matriz de CdTe: Crescer estruturas nanométricas de PbTe com formas esféricas imersas numa matriz de CdTe, devido a que estes materiais apresentam estruturas cristalinas similares. Esta similitude cristalina permite um melhor acoplamento destas estrutura visando evitar as deslocações e as armadilhas na superfícies dos "dots", as quais extinguem ou amortiguam a emissão destes. No presente projeto estamos interessado em fabricar estruturas quânticas de PbTe (Dots PbTe) imersas ou recoberta de CdTe. Se pretende estudar os mecanismos de nucleação dos átomos de CdTe no entorno das Np de PbTe. Neste caso aproveitaríamos as propriedades catalíticas das Np (PbTe) mediante as quais pretendemos obter os recobrimentos cristalinos à baixas temperaturas. Fabricação de nanocristais semicondutores de CdTe e PbTe em forma coloidal: Fabricação de pontos quânticos luminescente de CdTe e PbTe por ablação laser. Após a fabricação dos pontos quânticos este se pretendem recobrir com uma camada protetora de sílica o qual facilitara sua possível aplicações biomédicas. No processo de fabricação dos pontos quânticos na forma coloidal se fará uso de "ligand" (Thiols). Entre os "ligands" a utilizar propõe-se aqueles que apresentam terminação Si-OH. Esse fato será explorado para o crescimento posterior de uma fina camada de SiO2 na superfície do nanocristal semicondutor. (AU)